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IRF1104S/L
5000
4000
V GS =
C iss =
C rss =
C oss =
0V,   f = 1MHz
C gs + C gd , C ds SHORTED
C gd
C ds + C gd
20
I D = 60A
V DS = 32V
V DS = 20V
15
3000
Ciss
10
2000
Coss
5
1000
0
Crss
0
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
1
10
100
0
25
50
75
100
1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
10000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100
T J = 175 ° C
1000
10us
10
100
100us
1ms
T J = 175 C
1
0.1
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
1
T C = 25 ° C
°
Single Pulse
10ms
0.2
0.8
1.4
2.0
2.6
1
10
100
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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